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SIS902DN-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SIS902DN-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:186 毫歐 @ 3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:175pF @ 38V
功率_最大:15.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝:剪切帶 (CT)

SIS902DN-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:186 毫歐 @ 3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:175pF @ 38V
功率_最大:15.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝:Digi-Reel®

SIS902DN-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:186 毫歐 @ 3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:175pF @ 38V
功率_最大:15.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8 雙
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝:帶卷 (TR)

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