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SIZ730DT-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SIZ730DT-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 6X3.7
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A,35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 15V
功率_最大:3.9W, 4.6W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

SIZ730DT-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 6X3.7
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A,35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 15V
功率_最大:3.9W, 4.6W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

SIZ730DT-T1-GE3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 6X3.7
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 N 溝道(雙)非對稱型
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A,35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 15V
功率_最大:3.9W, 4.6W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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