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SPN02N60C3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SPN02N60C3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
系列:CoolMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:400mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 歐姆 @ 1.1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)

SPN02N60C3 E6433詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
系列:CoolMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:400mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 歐姆 @ 1.1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)

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