SQM110N04-03-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SQM110N04-03-GE3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO263

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫歐 @ 30A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：255nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：10205pF @ 20V

功率_最大：375W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）

包裝：帶卷 (TR)

• TNPU1206127RBZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 127 OHM 1/4W 0.1% 1206

• TMS320F28015ZGMA

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    100-LFBGA    IC DSP FLASH 16KX16 100-BGA

• SQM110N04-02L-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH D-S 40V TO263

• TMM-112-01-G-D-SM

  矩形- 接頭，公引腳    Samtec Inc        CONN HEADER 24POS DUAL 2MM SMD

• TMS320F28016PZS

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    100-LQFP    IC DSP W/FLASH 16KX16 100-LQFP

• STB11N65M5

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

• TNPU1206133KBZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 133K OHM 1/4W 0.1% 1206

• SQCB2M221JATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 220PF 200V 5% 1111

• TMS320F28020PTT

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    48-LQFP    IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48LQFP

• TMS320F28022PTQ

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    48-LQFP    IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48LQFP

• STB11N65M5

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

• TNPU1206137RBZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 137 OHM 1/4W 0.1% 1206

• SQCB2M241JATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 240PF 200V 5% 1111

• TMS320F280230PTS

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    48-LQFP    IC MCU 32BIT 16K FLASH 48LQFP

• STB11N65M5

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N CH 650V 9A D2PAK