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SQM110N06-04L-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

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SQM110N06-04L-GE3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO263
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:276nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:9125pF @ 25V
功率_最大:375W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263(D2Pak)
包裝:帶卷 (TR)

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