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SSM3K15ACT(TPL3) 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SSM3K15ACT(TPL3)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1B
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 10mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:13.5pF @ 3V
功率_最大:100mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-101,SOT-883
供應商設備封裝:CST3
包裝:帶卷 (TR)

SSM3K15ACT(TPL3)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1B
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 10mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:13.5pF @ 3V
功率_最大:100mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-101,SOT-883
供應商設備封裝:CST3
包裝:剪切帶 (CT)

SSM3K15ACT(TPL3)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1B
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 10mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:13.5pF @ 3V
功率_最大:100mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-101,SOT-883
供應商設備封裝:CST3
包裝:Digi-Reel®

SSM3K15ACT(TPL3)供應商

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