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SSM6P49NU,LF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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SSM6P49NU,LF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.74nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 10V
功率_最大:1W
安裝類型:*
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:6-uDFN(2x2)
包裝:剪切帶 (CT)

SSM6P49NU,LF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.74nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 10V
功率_最大:1W
安裝類型:*
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:6-uDFN(2x2)
包裝:Digi-Reel®

SSM6P49NU,LF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.74nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:480pF @ 10V
功率_最大:1W
安裝類型:*
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:6-uDFN(2x2)
包裝:帶卷 (TR)

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