STB23NM60N 全國供應商、價格、PDF資料
STB23NM60N詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 9.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 50V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
STB23NM60N詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 9.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 50V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
STB23NM60N詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 9.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 50V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
STB23NM60ND詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:19.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 50V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
STB23NM60ND詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:19.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 50V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
STB23NM60ND詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:19.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 50V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 100V SMPC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 100V SMP
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) OPTOCOUPLR PHOTO TRANS 2CH 8SOIC
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) OPTOCOUPLER 2CHAN T-OUT 8-SOIC
- FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) OPTOCOUPLER 2CHAN T-OUT 8-SOIC
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
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