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STD2 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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STD2詳細規格

類別:保險絲 - 電氣,特制
描述:FUSE INDUST 2A 240V BS IEC
系列:STD
制造商:Cooper Bussmann
保險絲類型:慢速熔斷,時滯型
電壓_額定:240VAC
電流:2A
封裝/外殼:圓柱形,扁平端子(螺栓)
大小/尺寸:0.476" 直徑 x 1.850" L(12.10mm x 47.00mm)
安裝類型:螺栓安裝
顏色:-
工作溫度:-

STD20詳細規格

類別:保險絲 - 電氣,特制
描述:FUSE INDUST 20A 240V BS IEC
系列:STD
制造商:Cooper Bussmann
保險絲類型:慢速熔斷,時滯型
電壓_額定:240VAC
電流:20A
封裝/外殼:圓柱形,扁平端子(螺栓)
大小/尺寸:0.476" 直徑 x 1.850" L(12.10mm x 47.00mm)
安裝類型:螺栓安裝
顏色:-
工作溫度:-

STD20N20T4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:940pF @ 25V
功率_最大:90W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:剪切帶 (CT)

STD20N20T4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:940pF @ 25V
功率_最大:90W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

STD20NF06LT4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:60W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

STD20NF06LT4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:24A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:60W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:剪切帶 (CT)

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