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STL65DN3LLH5 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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STL65DN3LLH5詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH POWERFLAT
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:65A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:60W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PowerFlat?(5x6)
包裝:帶卷 (TR)

STL65DN3LLH5詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH POWERFLAT
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:65A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:60W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PowerFlat?(5x6)
包裝:Digi-Reel®

STL65DN3LLH5詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH POWERFLAT
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:65A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:60W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PowerFlat?(5x6)
包裝:剪切帶 (CT)

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