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STL8DN10LF3 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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STL8DN10LF3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N CH 100V 20A 5X6
系列:STripFET™ III
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:970pF @ 25V
功率_最大:70W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PowerFlat?(5x6)
包裝:帶卷 (TR)

STL8DN10LF3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N CH 100V 20A 5X6
系列:STripFET™ III
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:970pF @ 25V
功率_最大:70W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PowerFlat?(5x6)
包裝:Digi-Reel®

STL8DN10LF3詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N CH 100V 20A 5X6
系列:STripFET™ III
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:970pF @ 25V
功率_最大:70W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PowerFlat?(5x6)
包裝:剪切帶 (CT)

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