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STS7C4F30L 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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STS7C4F30L詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A,4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1050pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

STS7C4F30L詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A,4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1050pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

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