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TC55詳細規格: 類別：電容器; 描述：CAP ALUM 20UF 250V AXIAL; 系列：TC; 制造商：Cornell Dubilier Electronics (CDE); 電容：20µF; 額定電壓：250V; 容差：-10%，+50%; 壽命0a0溫度：85°C 時為 1000 小時; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 特點：通用; 紋波電流：345mA; ESR（等效串聯電阻）：6.13 歐姆; 阻抗：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：軸向，CAN; 尺寸/尺寸：0.750" 直徑 x 1.125" L（19.05mm x 28.58mm）; 高度_座高（最大）：-; 引線間隔：-; 表面貼裝占地面積：-; 包裝：散裝

TC554001AF-70詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32SOIC; 系列：-; 制造商：Toshiba; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：70ns; 接口：并聯; 電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：32-SOIC（0.421"，10.70mm 寬）; 供應商器件封裝：32-SOP; 包裝：管件

TC554001AF-70LEL詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：70ns; 接口：并聯; 電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：32-SOIC（0.421"，10.70mm 寬）; 供應商器件封裝：32-SOP; 包裝：管件

TC554001AFT-70L詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：70ns; 接口：并聯; 電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：32-SOIC（0.400"，10.16mm 寬）; 供應商器件封裝：32-TSOP II; 包裝：托盤

TC55NEM208AFGN55LA詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：55ns; 接口：并聯; 電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：32-SOIC（0.421"，10.70mm 寬）; 供應商器件封裝：32-SOP; 包裝：管件

TC55NEM208AFGN70LA詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 70NS 32SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：70ns; 接口：并聯; 電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：32-SOIC（0.421"，10.70mm 寬）; 供應商器件封裝：32-SOP; 包裝：托盤

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線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 2.3W AB 32VQFN
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鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 15UF 6.3V 20% 2910