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TIP102 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TIP102詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 80mA,8A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

TIP102詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 80mA,8A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:散裝

TIP102詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL NPN 8A 100V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 80mA,8A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

TIP102-BP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 8A 100V TO-220
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 80mA,8A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 3A,4V
功率_最大:80W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

TIP102G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL NPN 8A 100V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 80mA,8A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

TIP102TSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL NPN 100V 8A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 80mA,8A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

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