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TIP147 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TIP147詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 10A 100V TO218AC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,10A
電流_集電極截止(最大):2mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 5A,4V
功率_最大:125W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-218-3
供應商設備封裝:SOT-93
包裝:管件

TIP147詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP DARL 100V 10A TO-247
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,10A
電流_集電極截止(最大):2mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 5A,4V
功率_最大:125W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247-3
包裝:管件

TIP147FTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP DARL 100V TO-3PF
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,10A
電流_集電極截止(最大):2mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 5A,4V
功率_最大:125W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:SC-94
供應商設備封裝:TO-3PF
包裝:管件

TIP147G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 10A 100V TO218
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,10A
電流_集電極截止(最大):2mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 5A,4V
功率_最大:125W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-218-3
供應商設備封裝:SOT-93
包裝:管件

TIP147T詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR DARL COMPL TO-220
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,10A
電流_集電極截止(最大):2mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 5A,4V
功率_最大:90W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

TIP147T詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 100V 2A TO-3P
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,10A
電流_集電極截止(最大):2mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 5A,4V
功率_最大:80W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220-3
包裝:散裝

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