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TIP31B 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TIP31B詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP NPN 3A 80V TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):300µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:散裝

TIP31B詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 3A 80V HI PWR TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):300µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

TIP31B-BP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 3A 80V TO-220AB
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):300µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

TIP31BG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 3A 80V HI PWR TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):300µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

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