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TJ120F06J3(TE24L,Q 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TJ120F06J3(TE24L,Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 120A TO-220SM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:258nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:11640pF @ 10V
功率_最大:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-220SM(W)
包裝:帶卷 (TR)

TJ120F06J3(TE24L,Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 120A TO-220SM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:258nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:11640pF @ 10V
功率_最大:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-220SM(W)
包裝:剪切帶 (CT)

TJ120F06J3(TE24L,Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 120A TO-220SM
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 60A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:258nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:11640pF @ 10V
功率_最大:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-220SM(W)
包裝:Digi-Reel®

TJ120F06J3(TE24L,Q供應商

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