TK13E25D,S1X(S 全國供應商、價格、PDF資料

TK13E25D,S1X(S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 6.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 100V

功率_最大：102W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220-3

包裝：管件

• TK12A60D(STA4,Q,M)

  FET - 單    Toshiba    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

• SRU2009-4R4Y

  固定式    Bourns Inc.    非標準    INDUCTOR 4.4UH 680MA SMD

• TNPW120639K2BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 39.2K OHM 1/4W 0.1% 1206

• TK13A50DA(STA4,Q,M

  FET - 單    Toshiba    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

• SRU2009-6R8Y

  固定式    Bourns Inc.    非標準    INDUCTOR 6.8UH 520MA SMD

• SRU2011-330Y

  固定式    Bourns Inc.    1111（2828 公制）    INDUCTOR 33UH 230MA SMD

• TNPW12063K01BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 3.01K OHM 1/4W 0.1% 1206

• TK13A65U(STA4,Q,M)

  FET - 單    Toshiba    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS

• SRU2013-6R8Y

  固定式    Bourns Inc.    1111（2828 公制）    INDUCTOR PWR 6.8UH 30% SHLD SMD

• TNPW12063K09BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 3.09K OHM 1/4W 0.1% 1206

• SRU3009-6R8Y

  固定式    Bourns Inc.    非標準    INDUCTOR 6.8UH 400MA SMD

• SRU3011-100Y

  固定式    Bourns Inc.    非標準    INDUCTOR 10UH 400MA SMD

• TK150X00

  過時/停產零件編號    Kyocera Display America, Inc.        TOOLKIT XGA TFT LCD 15.0"

• SRU3014-100Y

  固定式    Bourns Inc.    非標準    INDUCTOR 10UH 640MA SMD

• TNPW12063K24BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 3.24K OHM 1/4W 0.1% 1206