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TK50P03M1(T6RSS-Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DP; 包裝：Digi-Reel®

TK50P03M1(T6RSS-Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DP; 包裝：剪切帶 (CT)

TK50P03M1(T6RSS-Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DP; 包裝：帶卷 (TR)

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TK45P03M1,RQ(S
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UPW1A330MDD1TD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 33UF 10V 20% RADIAL
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電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 47UF 350V 20% RADIAL
TPS7A6333QDRKRQ1
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 10-VFQFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V .2A 10VSON
V24C5H125BL
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5V 125W
TLC27L2ACP
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP GP 110KHZ DUAL 8DIP
UPW1A390MDD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 39UF 10V 20% RADIAL
UPW2V470MRH6
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 47UF 350V 20% RADIAL
TPS7A7001DDA
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG LDO ADJ 2A 8SO
PEMI4QFN/HP,132
EMI/RFI（LC、RC 網絡） NXP Semiconductors 8-XFDFN IC RC FILTER NETWORK 4CH 8HXSON