TNPW201012R0FEEF 全國供應商、價格、PDF資料

TNPW201012R0FEEF詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 12 OHM 0.4W 1% 2010

系列：TNPW

制造商：Vishay Dale

電阻333Ω444：12

功率333W444：0.4W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：2010（5025 公制）

供應商器件封裝：2010

大小/尺寸：0.197" L x 0.098" W（5.00mm x 2.50mm）

高度：0.030"（0.75mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• TCJT107M004R0150

  鉭    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP TANT 100UF 4V 20% 1210

• US5881ESE-AAA-000-RE

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC HALL EFFECT SW TSOT-23

• TNPW251238K3BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 38.3K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW201012K7BETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 12.7K OHM .40W 0.1% 2010

• US5881EUA-AAA-000-BA

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV        IC HALL EFFECT SW UNIPO TO-92

• TPCM8002-H(TE12L,Q

  FET - 單    Toshiba    8-PowerWDFN    MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV

• UT06104SH

  圓形 - 外殼    Souriau Connection Technology    0402（1005 公制）    CONN PLUG CABLE 4POS FEMALE

• TCJT107M004R0150

  鉭    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP TANT 100UF 4V 20% 1210

• US5881LUA-AAA-000-BU

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-226-3，TO-92-3 短體    IC HALL EFFECT SW MP TO-92UA

• US5K3TR

  FET - 陣列    Rohm Semiconductor    TUMT5    MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5

• UT06128SH

  圓形 - 外殼    Souriau Connection Technology    0402（1005 公制）    CONN PLUG CABLE 8POS FEMALE

• TPCM8002-H(TE12L,Q

  FET - 單    Toshiba    8-PowerWDFN    MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV

• TCJT107M004R0150

  鉭    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP TANT 100UF 4V 20% 1210

• US5U1TR

  FET - 單    Rohm Semiconductor    TUMT5    MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5

• TNPW251239K0BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 39.0K OHM 1/2W 0.1% 2512