TNPW25122K20BETG 全國供應商、價格、PDF資料

TNPW25122K20BETG詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512

系列：TNPW

制造商：Vishay Dale

電阻333Ω444：2.2k

功率333W444：0.5W，1/2W

成分：薄膜

特性：-

溫度系數：±25ppm/°C

容差：±0.1%

封裝/外殼：2512（6432 公制）

供應商器件封裝：2512

大小/尺寸：0.248" L x 0.122" W（6.30mm x 3.10mm）

高度：0.030"（0.75mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• URS0J102MPD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 1000UF 6.3V 20% RADIAL

• TPC8031-H(TE12LQM)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

• T95Y106M025ESAL

  鉭    Vishay Sprague    2910（7227 公制）    CAP TANT 10UF 25V 20% 2910

• URS0J222MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL

• TNPW121078R7BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 78.7 OHM 1/3W 0.1% 1210

• TNPW25122K20BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TPC8034-H(TE12LQM)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

• URS1A101MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL

• TPC8109(TE12L)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

• TNPW12107K50BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 7.50K OHM 1/3W 0.1% 1210

• URS1A221MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL

• TPC8109(TE12L,Q,M)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH SNGL -30V -10A SOP-8

• URS1A470MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 47UF 10V 20% RADIAL

• TPC8117(TE12L,Q)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

• TNPW25122K21BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512