TPC6101(TE85L)詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
- 功率_最大:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
- 供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
- 包裝:剪切帶 (CT)
TPC6101(TE85L)詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
- 功率_最大:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
- 供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
- 包裝:Digi-Reel®
TPC6101(TE85L)詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
- 功率_最大:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
- 供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
- 包裝:帶卷 (TR)
TPC6101(TE85L,F)詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH SNGL -20V -4.5A VS-6
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
- 功率_最大:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
- 供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
- 包裝:剪切帶 (CT)
TPC6101(TE85L,F)詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH SGL -20V -4.5A VS-6
- 系列:-
- 制造商:Toshiba
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
- 功率_最大:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
- 供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
- 包裝:帶卷 (TR)
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Infineon Technologies TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA IC REG LDO 5V .45A TO263-5
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 301K OHM 1/3W 0.1% 1210
- PMIC - AC-DC 轉換器,離線開關 Power Integrations 8-SMD(7 個接腳),鷗形翼 IC OFFLINE SWIT OVP UVLO HV 8SMD
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
- FET - 單 Toshiba SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
- 晶體 NDK 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 16.0MHZ 10PF SMD
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Infineon Technologies TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD IC REG LDO ADJ .4A TO252-5
- PMIC - AC-DC 轉換器,離線開關 Power Integrations TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB IC OFFLINE SWIT UVLO HV D2PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 309K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 晶體 NDK 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 16.0MHZ 10PF SMD
- PMIC - AC-DC 轉換器,離線開關 Power Integrations TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB IC OFFLINE SWIT UVLO HV D2PAK
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Infineon Technologies TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD IC REG LDO ADJ .4A TO252-5
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210(3225 公制) RES 30.0K OHM 1/3W 0.1% 1210
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 4.096V SC70-5
- FET - 單 Toshiba SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-6
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