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TPC6101 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TPC6101(TE85L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
包裝:剪切帶 (CT)

TPC6101(TE85L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
包裝:Digi-Reel®

TPC6101(TE85L)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
包裝:帶卷 (TR)

TPC6101(TE85L,F)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH SNGL -20V -4.5A VS-6
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
包裝:剪切帶 (CT)

TPC6101(TE85L,F)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH SGL -20V -4.5A VS-6
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 2.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 200µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:VS-6(2.9x2.8)
包裝:帶卷 (TR)

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