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TPC8034-H(TE12LQM)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6150pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：剪切帶 (CT)

TPC8034-H(TE12LQM)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6150pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：Digi-Reel®

TPC8034-H(TE12LQM)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6150pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：帶卷 (TR)

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URS1A221MDD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL