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TPC8114(TE12L,Q,M) 全國供應商、價格、PDF資料

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TPC8114(TE12L,Q,M)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7480pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP(5.5x6.0)
包裝:Digi-Reel®

TPC8114(TE12L,Q,M)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7480pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP(5.5x6.0)
包裝:剪切帶 (CT)

TPC8114(TE12L,Q,M)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7480pF @ 10V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP(5.5x6.0)
包裝:帶卷 (TR)

TPC8114(TE12L,Q,M)供應商

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