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TPCC8002-H(TE12LQM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 10V; 功率_最大：30W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-TSON; 包裝：剪切帶 (CT)

TPCC8002-H(TE12LQM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 10V; 功率_最大：30W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-TSON; 包裝：帶卷 (TR)

TPCC8002-H(TE12LQM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.3 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 10V; 功率_最大：30W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-TSON; 包裝：Digi-Reel®

TPCC8002-H(TE12LQM供應商

TPCC8002-H(TE12LQM 深圳市芯脈實業有限公司 19166203057
TPCC8002-H(TE12LQM 深圳市芯宇恒科技有限公司 0755-85298085
TPCC8002-H(TE12LQM 北京元坤國際科技有限公司 010-62962871、
TPCC8002-H(TE12LQM 北京首天偉業科技有限公司 010-62962871、
TPCC8002-H(TE12LQM 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859
TPCC8002-H(TE12LQM 北京顯周科技有限公司 13910052844（微

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