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TPCC8006-H(TE12LQM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 10V; 功率_最大：27W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-TSON; 包裝：剪切帶 (CT)

TPCC8006-H(TE12LQM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 10V; 功率_最大：27W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-TSON; 包裝：帶卷 (TR)

TPCC8006-H(TE12LQM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：22A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 10V; 功率_最大：27W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應商設備封裝：8-TSON; 包裝：Digi-Reel®

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TPCA8A04-H(TE12L,Q
FET - 單 Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV
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PMIC - 穩壓器 - 線性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 5V .1A SOT-23A-5
TNPW2010294KBEEF
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TNPW120656K0BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 56.0K OHM 1/4W 0.1% 1206
TO-13-050
電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
TPCC8002-H(TE12LQM
FET - 單 Toshiba 8-VDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
TO1608-150M
固定式 Tamura 非標準 INDUCTOR 15UH 1A 1608 +-20%
TNPW2010294RBETF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 294 OHM .40W 0.1% 2010
TC217
配件 Apex Tool Group TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA CORD ASSEMBLY FOR T201T
TNPW120656K2BEEN
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 56.2K OHM 1/4W 0.1% 1206
TPCC8008(TE12L,QM)
FET - 單 Toshiba 8-VDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TO1608-1R5M
固定式 Tamura 非標準 INDUCTOR 1.5UH 2.8A 1608 +-20%