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TPCC8103(TE12L,QM) 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TPCC8103(TE12L,QM)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:27W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-TSON
包裝:帶卷 (TR)

TPCC8103(TE12L,QM)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:27W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-TSON
包裝:Digi-Reel®

TPCC8103(TE12L,QM)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:27W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-TSON
包裝:剪切帶 (CT)

TPCC8103(TE12L,QM)供應商

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