TPCM8001-H(TE12L,Q 全國供應商、價格、PDF資料

TPCM8001-H(TE12L,Q詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 10V

功率_最大：30W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerWDFN

供應商設備封裝：2-4L1A

包裝：Digi-Reel®

TPCM8001-H(TE12L,Q詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 10V

功率_最大：30W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerWDFN

供應商設備封裝：2-4L1A

包裝：剪切帶 (CT)

TPCM8001-H(TE12L,Q詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-TSSOPA

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 10V

功率_最大：30W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerWDFN

供應商設備封裝：2-4L1A

包裝：帶卷 (TR)

• US5683KSE-AAA-000-RE

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC HALL EFFECT SWITCH TSOT-3L

• TNPW201012K0BETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 12.0K OHM .40W 0.1% 2010

• TNPW251236K0FEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 36K OHM 1/2W 1% 2512

• TPCM-3.3-10

  共模扼流圈    Acme Electric/Amveco/Actown    垂直式，4 PC 引腳    CHOKE COMMON TOROIDAL 3.27MH 10A

• UT026D103MAC2F

  陶瓷    AVX Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 10000PF 6.3V 20% 0402

• US5781ESE-AAA-000-RE

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC HALL EFFECT SWITCH TSOT-23

• TCJR476M006R0500

  鉭    AVX Corporation    0805（2012 公制）    CAP TANT 47UF 6.3V 20% 0805

• TNPW2512374KBEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 374K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW201012K4BETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 12.4K OHM .40W 0.1% 2010

• UT02YD103MAT2E

  陶瓷    AVX Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 10000PF 16V 20% X5R 0402

• TCJT107M004R0150

  鉭    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP TANT 100UF 4V 20% 1210

• US5881ESE-AAA-000-RE

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC HALL EFFECT SW TSOT-23

• TNPW251238K3BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 38.3K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW201012K7BETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 12.7K OHM .40W 0.1% 2010

• US5881EUA-AAA-000-BA

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV        IC HALL EFFECT SW UNIPO TO-92