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TPH7R506NH,L1Q 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TPH7R506NH,L1Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 11A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 300µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2320pF @ 30V
功率_最大:45W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:8-SOP 高級
包裝:帶卷 (TR)

TPH7R506NH,L1Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 11A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 300µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2320pF @ 30V
功率_最大:45W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:8-SOP 高級
包裝:剪切帶 (CT)

TPH7R506NH,L1Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 毫歐 @ 11A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 300µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2320pF @ 30V
功率_最大:45W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:8-SOP 高級
包裝:Digi-Reel®

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