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TPS1100DR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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TPS1100DR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
系列:-
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:15V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:791mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC
包裝:帶卷 (TR)

TPS1100DRG4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
系列:-
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:15V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:791mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC
包裝:帶卷 (TR)

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