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UM6J1NTN 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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UM6J1NTN詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:30pF @ 10V
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:UMT6
包裝:Digi-Reel®

UM6J1NTN詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:30pF @ 10V
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:UMT6
包裝:剪切帶 (CT)

UM6J1NTN詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 200mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:30pF @ 10V
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:UMT6
包裝:帶卷 (TR)

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