UMF1V1R5MDD 全國供應商、價格、PDF資料

UMF1V1R5MDD詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 1.5UF 35V 20% RADIAL

系列：MF

制造商：Nichicon

電容：1.5µF

額定電壓：35V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 1000 小時

工作溫度：-55°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：50mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：5 歐姆

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.157" 直徑（4.00mm）

高度_座高（最大）：0.236"（6.00mm）

引線間隔：0.059"（1.50mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• UCC27424QDGNRQ1

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Texas Instruments    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤    IC MOSFET DVR 4A DUAL HS 8MSOP

• TNPW060351R1BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0603（1608 公制）    RES 51.1 OHM 1/10W 0.1% 0603

• UMD5NTR

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    Rohm Semiconductor    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    TRANS DGTL DUAL 50V UMT6

• V2-1.0-0-SP-SM

  熱縮管    TE Connectivity    懸臂壓電薄膜（晶片）    HEAT SHRINK TUBING BLACK 5M

• TNPW0603523RBETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0603（1608 公制）    RES 523 OHM 1/10W 0.1% 0603

• TNPU060393K1AZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0603（1608 公制）    RES 93.1K OHM 0.05% 0603 SMD

• UCC27425D

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DVR DUAL HS 4A 8-SOIC

• UMF1E6R8MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 6.8UF 25V 20% RADIAL

• V2-1.5-0-SP-SM

  熱縮管    TE Connectivity    懸臂壓電薄膜（晶片）    HEAT SHRINK TUBING BLACK 12M

• V2-1.5-0-SP-SM

  熱縮管    TE Connectivity    懸臂壓電薄膜（晶片）    HEAT SHRINK TUBING BLACK 5M

• TNPU0603953RAZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0603（1608 公制）    RES 953 OHM 0.05% 0603 SMD

• UCC27425DG4

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC

• TNPW060352K3BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0603（1608 公制）    RES 52.3K OHM 1/10W 0.1% 0603

• UMF21NTR

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    Rohm Semiconductor    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    TRANS PNP/DTR BIP 12V .5A SOT363

• V2-10.0-0-FSP-SM

  熱縮管    TE Connectivity    懸臂壓電薄膜（晶片）    HEAT SHRINK TUBING BLACK 1M