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UNR411E00A 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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UNR411E00A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS PNP W/RES 60HFE NS-B1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:PNP - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):22k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:80MHz
功率_最大:300mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:NS-B1
供應商設備封裝:NS-B1
包裝:帶盒(TB)

UNR411E00A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS PNP W/RES 60HFE NS-B1
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:PNP - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):22k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:80MHz
功率_最大:300mW
安裝類型:通孔
封裝/外殼:NS-B1
供應商設備封裝:NS-B1
包裝:剪切帶 (CT)

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