UPA2756GR-E2-AT 全國供應商、價格、PDF資料

UPA2756GR-E2-AT詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應商設備封裝：8-PSOP

包裝：帶卷 (TR)

• UPA1V272MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 2700UF 35V 20% RADIAL

• TO-206-215

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• UPA2716AGR-E1-AT

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET LV 8SOP

• UVZ2E220MHH

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL

• TNPW2010330KBEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 330K OHM .40W 0.1% 2010

• TO-207-060E

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• TNPW040249K9BEED

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 49.9K OHM 1/16W 0.1% 0402

• TNPW080524R0BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805

• UPA2719AGR-E2-AT

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• TNPW2010332KBETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 332K OHM .40W 0.1% 2010

• TO-207-090E

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• UVZ2E331MRH

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL

• TNPW080524R0BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805

• TNPW040249R9BEED

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402

• UPA2757GR-E1-AT

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC