UPD44647366AF5-E22-FQ1 全國供應商、價格、PDF資料

UPD44647366AF5-E22-FQ1詳細規格

類別：存儲器

描述：SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 同步，QDR II+

存儲容量：72M（2M x 36）

速度：450MHz

接口：并聯

電壓_電源：1.7 V ~ 1.9 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：165-LBGA

供應商器件封裝：165-PBGA（13x15）

包裝：散裝

UPD44647366AF5-E22-FQ1-A詳細規格

類別：存儲器

描述：SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA

系列：-

制造商：Renesas Electronics America

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 同步，QDR II+

存儲容量：72M（2M x 36）

速度：450MHz

接口：并聯

電壓_電源：1.7 V ~ 1.9 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：165-LBGA

供應商器件封裝：165-PBGA（13x15）

包裝：散裝

• T495C476K016ZTE300

  鉭    Kemet    2312（6032 公制）    CAP TANT 47UF 16V 10% 2312

• TMOV20R250M

  TVS - 變阻器，MOV    Littelfuse Inc    盤 20mm，3 引線    VARISTOR THRML INDCT 250V 20MM

• UPD2425F-10

  固態    Crydom Co.    模塊    SSR SPST-NO 240VAC 25A PHASE

• UP050B223K-KFCZ

  陶瓷    Taiyo Yuden    軸向    CAP CER 0.022UF 50V 10% AXIAL

• P51-75-G-AA-MD-5V-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 75PSI 7/16-20UNF 1-5V

• UPD44646363AF5-E25-FQ1

  存儲器    Renesas Electronics America    165-LBGA    SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA

• T495C685M025ATE500

  鉭    Kemet    2312（6032 公制）    CAP TANT 6.8UF 25V 20% 2312

• TNPU08057K68AZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 7.68K OHM 0.05% 0805 SMD

• TMOV20R510M

  TVS - 變阻器，MOV    Littelfuse Inc    盤 20mm，3 引線    VARISTOR THERMAL 550V 10KA 20MM

• P51-75-G-AA-P-4.5OVP-000-000

  壓力    SSI Technologies Inc    不銹鋼    SENSOR 75PSI 7/16-20UNF .5-4.5V

• T495C686K006ZTE400

  鉭    Kemet    2312（6032 公制）    CAP TANT 68UF 6.3V 10% 2312

• UPD5713TK-EVAL

  過時/停產零件編號    CEL    6-SMD，扁平引線    EVAL BOARD FOR UPD5713TK

• TNPU08058K20BZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 8.20K OHM 1/8W 0.1% 0805

• TMOV20R750M

  TVS - 變阻器，MOV    Littelfuse Inc    盤 20mm，3 引線    VARISTOR THERMAL 750V 10KA 20MM

• UP050B272K-NACZ

  陶瓷    Taiyo Yuden    軸向    CAP CER 2700PF 50V 10% AXIAL