URS0J222MHD 全國供應商、價格、PDF資料

URS0J222MHD詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL

系列：RS

制造商：Nichicon

電容：2200µF

額定電壓：6.3V

容差：±20%

壽命0a0溫度：85°C 時為 2000 小時

工作溫度：-40°C ~ 85°C

特點：通用

紋波電流：890mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.492" 直徑（12.50mm）

高度_座高（最大）：0.650"（16.50mm）

引線間隔：0.197"（5.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• URAM3C21

  配件    Vicor Corporation    8-DIP 模塊，1/4 磚    URAM OUTPUT ATTENUATION MODULE

• TPC8018-H(TE12L)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

• T95Y106M025CZSL

  鉭    Vishay Sprague    2910（7227 公制）    CAP TANT 10UF 25V 20% 2910

• URHR-5

  熱縮管    TE Connectivity    8-DIP 模塊，1/4 磚    MOLDED SHRINK HOOP

• TPC8018-H(TE12L)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

• TNPW1210750RBEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 750 OHM 1/3W 0.1% 1210

• TNPW25122K10BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.10K OHM 1/2W 0.1% 2512

• URS0J102MPD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 1000UF 6.3V 20% RADIAL

• TPC8031-H(TE12LQM)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

• TNPW121078R7BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 78.7 OHM 1/3W 0.1% 1210

• TNPW25122K20BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TPC8034-H(TE12LQM)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

• URS1A101MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL

• TPC8109(TE12L)

  FET - 單    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

• USP7766RA

  溫度探頭    US Sensor    徑向，Can    THERMISTOR NTC 10K 1% PIPE PROBE