URS1J220MDD 全國供應商、價格、PDF資料

URS1J220MDD詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 22UF 63V 20% RADIAL

系列：RS

制造商：Nichicon

電容：22µF

額定電壓：63V

容差：±20%

壽命0a0溫度：85°C 時為 2000 小時

工作溫度：-40°C ~ 85°C

特點：通用

紋波電流：100mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.248" 直徑（6.30mm）

高度_座高（最大）：0.413"（10.50mm）

引線間隔：0.098"（2.50mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• URS1H330MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 33UF 50V 20% RADIAL

• TPCA8056-H,LQ(M

  FET - 單    Toshiba    8-PowerVDFN    MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV

• TPC8A01(TE12L,Q)

  FET - 陣列    Toshiba    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP

• USR 2-0808 2K OHM D 0.01% 1PPM

  通孔電阻器    Riedon    徑向    RES 2.0KOHM .6W .01% FOIL RADIAL

• URZ0J222MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL

• URS1HR47MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 0.47UF 50V 20% RADIAL

• TNPW25122K32BEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW121082K0BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 82.0K OHM 1/3W 0.1% 1210

• TPCA8065-H,LQ(S

  FET - 單    Toshiba    8-PowerVDFN    MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV

• TNPW25122K32BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW121082R0BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 82.0 OHM 1/3W 0.1% 1210

• URZ1A221MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL

• URS1V101MPD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 100UF 35V 20% RADIAL

• USR 2-0808 350 OHM D 0.01% 1PPM

  通孔電阻器    Riedon    徑向    RES 350 OHM .6W .01% FOIL RADIAL

• TPCC8003-H(TE12LQM

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON