URS2E470MHD 全國供應商、價格、PDF資料

URS2E470MHD詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 47UF 250V 20% RADIAL

系列：RS

制造商：Nichicon

電容：47µF

額定電壓：250V

容差：±20%

壽命0a0溫度：85°C 時為 2000 小時

工作溫度：-40°C ~ 85°C

特點：通用

紋波電流：420mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.709" 直徑（18.00mm）

高度_座高（最大）：0.846"（21.50mm）

引線間隔：0.295"（7.50mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• TPCA8065-H,LQ(S

  FET - 單    Toshiba    8-PowerVDFN    MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV

• URZ0J330MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 33UF 6.3V 20% RADIAL

• URS1J220MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 63V 20% RADIAL

• TNPW25122K32BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.32K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW121082R0BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 82.0 OHM 1/3W 0.1% 1210

• URZ1A221MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL

• URS1V101MPD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 100UF 35V 20% RADIAL

• USR 2-0808 350 OHM D 0.01% 1PPM

  通孔電阻器    Riedon    徑向    RES 350 OHM .6W .01% FOIL RADIAL

• TPCC8003-H(TE12LQM

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

• TNPW121084K5BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 84.5K OHM 1/3W 0.1% 1210

• TNPW25122K40BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.40K OHM 1/2W 0.1% 2512

• URZ1H102MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 1000UF 50V 20% RADIAL

• URU0J472MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 4700UF 6.3V 20% RADIAL

• TPCC8005-H(TE12LQM

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON

• USR 2-0808 500 OHM D 0.01% 1PPM

  通孔電阻器    Riedon    徑向    RES 500 OHM .6W .01% FOIL RADIAL