US5K3TR 全國供應商、價格、PDF資料

US5K3TR詳細規格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：2 個 N 溝道（雙）

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id時的Vgs333th444（最大）：-

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TUMT5

供應商設備封裝：TUMT5

包裝：剪切帶 (CT)

• US5881ESE-AAA-000-RE

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC HALL EFFECT SW TSOT-23

• TNPW251238K3BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 38.3K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW201012K7BETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 12.7K OHM .40W 0.1% 2010

• US5881EUA-AAA-000-BA

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV        IC HALL EFFECT SW UNIPO TO-92

• TPCM8002-H(TE12L,Q

  FET - 單    Toshiba    8-PowerWDFN    MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV

• UT06104SH

  圓形 - 外殼    Souriau Connection Technology    0402（1005 公制）    CONN PLUG CABLE 4POS FEMALE

• TCJT107M004R0150

  鉭    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP TANT 100UF 4V 20% 1210

• US5881LUA-AAA-000-BU

  磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC)    Melexis Technologies NV    TO-226-3，TO-92-3 短體    IC HALL EFFECT SW MP TO-92UA

• TNPW2512392KBEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 392K OHM 1/2W 0.1% 2512

• UT06128SH

  圓形 - 外殼    Souriau Connection Technology    0402（1005 公制）    CONN PLUG CABLE 8POS FEMALE

• TPCM8002-H(TE12L,Q

  FET - 單    Toshiba    8-PowerWDFN    MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV

• TCJT107M004R0150

  鉭    AVX Corporation    1210（3528 公制）    CAP TANT 100UF 4V 20% 1210

• US5U1TR

  FET - 單    Rohm Semiconductor    TUMT5    MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5

• TNPW251239K0BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 39.0K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW2010133KBEEY

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 133K OHM .40W 0.1% 2010