UVZ2E471MRD 全國供應商、價格、PDF資料

UVZ2E471MRD詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 470UF 250V 20% RADIAL

系列：VZ

制造商：Nichicon

電容：470µF

額定電壓：250V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 1000 小時

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：870mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.984" 直徑（25.00mm）

高度_座高（最大）：1.969"（50.00mm）

引線間隔：0.492"（12.50mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• UPA2756GR-E2-AT

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC

• TNPW2010332KBETF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 332K OHM .40W 0.1% 2010

• TO-207-090E

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• UVZ2E331MRH

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL

• TNPW080524R0BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805

• TNPW040249R9BEED

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402

• UPA2757GR-E1-AT

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• TO-21-090H

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• UPA2757GR-E2-AT

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• TO-21-130E

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• TNPW080524R3BETA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 24.3 OHM 1/8W 0.1% 0805

• TNPW04024K02BETD

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0402（1005 公制）    RES 4.02K OHM 1/16W 0.1% 0402

• UPA2810T1L-E1-AY

  FET - 單    Renesas Electronics America    8-HVSON    MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON

• TO-22-150

  電路板襯墊，支座    Bivar Inc        SPACER WASHAWAY

• UPA611TA-T1-A

  FET - 陣列    Renesas Electronics America    SC-74，SOT-457    MOSFET DL N-CH 30V 100MA SC-74