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SP8M51TB1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A，2.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：Digi-Reel®

SP8M51TB1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A，2.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

SP8M51TB1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 100V SOP8; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A，2.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SP8M5FU6TB詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SP8M5TB詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SP8M5TB詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.2nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SA101C332KAA
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 3300PF 100V 10% AXIAL
SCRH124-330
固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 33UH 2.70A 100KHZ
SP8M10FU6TB
FET - 陣列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
SMCG8.0CAHE3/9AT
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-215AB，SMC 鷗翼型 TVS 1.5KW BIDIR 8.0V 5% SMC
SA12CHE3/54
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC，DO-15，軸向 TVS BIDIR 500W 12V 10% AXIAL
MRFG35002N6R5
RF FET Freescale Semiconductor PLD-1.5 TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET
MS27466T19F11PA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 11POS FLANGE W/PINS
SMCJ150A-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 150V UNIDIRECT SMC
SA101C332MAC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 3300PF 100V 20% AXIAL
SMCG8.5AHE3/9AT
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-215AB，SMC 鷗翼型 TVS 1.5KW UNIDIR 8.5V 5% SMC
SA130A
TVS - 二極管 Fairchild Semiconductor DO-204AC，DO-15，軸向 TVS UNIDIRECT 500W 130V DO-15
MRFG35003ANR5
RF FET Freescale Semiconductor PLD-1.5 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MS27466T19F11PA-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 11POS PIN
SMCJ150CA-TP
TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 150V BIDIRECT SMC
SCRH124-470
固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 47UH 1.90A 100KHZ

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