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ZDT619TA 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZDT619TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN DUAL 50V 2A MED SM8
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1A,2V
功率_最大:2.5W
頻率_轉換:165MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-223-8
供應商設備封裝:SM8
包裝:帶卷 (TR)

ZDT619TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN DUAL 50V 2A MED SM8
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1A,2V
功率_最大:2.5W
頻率_轉換:165MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-223-8
供應商設備封裝:SM8
包裝:Digi-Reel®

ZDT619TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN DUAL 50V 2A MED SM8
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 1A,2V
功率_最大:2.5W
頻率_轉換:165MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-223-8
供應商設備封裝:SM8
包裝:剪切帶 (CT)

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