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ZXMN10A08E6TA 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXMN10A08E6TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-23-6
包裝:Digi-Reel®

ZXMN10A08E6TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-23-6
包裝:帶卷 (TR)

ZXMN10A08E6TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-23-6
包裝:剪切帶 (CT)

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