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ZXMN10A11K 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXMN10A11K詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 50V
功率_最大:2.11W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252-3
包裝:剪切帶 (CT)

ZXMN10A11K詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 50V
功率_最大:2.11W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252-3
包裝:帶卷 (TR)

ZXMN10A11K詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CHAN 100V DPAK
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 50V
功率_最大:2.11W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252-3
包裝:Digi-Reel®

ZXMN10A11KTC詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V DPAK
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 50V
功率_最大:2.11W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252-3
包裝:Digi-Reel®

ZXMN10A11KTC詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V DPAK
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 50V
功率_最大:2.11W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252-3
包裝:剪切帶 (CT)

ZXMN10A11KTC詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V DPAK
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:274pF @ 50V
功率_最大:2.11W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252-3
包裝:帶卷 (TR)

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