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ZXMN6A25G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 60V SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 3.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1063pF @ 30V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

ZXMN6A25G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 60V SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 3.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1063pF @ 30V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN6A25G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 60V SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 3.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1063pF @ 30V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN6A25GTA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 3.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1063pF @ 30V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN6A25GTA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 3.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1063pF @ 30V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN6A25GTA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 3.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1063pF @ 30V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

VI-B7J-MY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-BNR-MW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W
ZGP323HSS2832C
嵌入式 - 微控制器， Zilog 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC Z8 GP MCU 32K OTP 28SOIC
ZXMN6A25DN8TA
FET - 陣列 Diodes Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC
UPW1J681MHH3
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 680UF 63V 20% RADIAL
YC164-JR-0747RL
網絡、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 47 OHM 4 RES 1206
VI-BTF-CV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VI-B7J-MY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-BNR-MW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W
UPW1J6R8MDD6
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 6.8UF 63V 20% RADIAL
YC164-JR-074K3L
網絡、陣列 Yageo 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 4.3K OHM 4 RES 1206
VI-B7J-MY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-BNR-MX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W
VI-BTF-CW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W
ZGP323LAH4832C00TR
嵌入式 - 微控制器， Zilog 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 寬） IC Z8 GP MCU 32K OTP 48SSOP

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