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當前位置:網站首頁 » 庫存索引165 » 型號"ZXT12N50DXTA"的供應信息

ZXT12N50DXTA 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXT12N50DXTA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN DL LOSAT 50V 3A 8-MSOP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 50mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1.04W
頻率_轉換:132MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:8-MSOP
包裝:Digi-Reel®

ZXT12N50DXTA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN DL LOSAT 50V 3A 8-MSOP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 50mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1.04W
頻率_轉換:132MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:8-MSOP
包裝:帶卷 (TR)

ZXT12N50DXTA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS NPN DL LOSAT 50V 3A 8-MSOP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 50mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1.04W
頻率_轉換:132MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:8-MSOP
包裝:剪切帶 (CT)

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