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ZXT13P12DE6TA 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXT13P12DE6TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP LOSAT -12V -4A SOT23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):175mV @ 400mA,4A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1.1W
頻率_轉換:55MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-23-6
包裝:帶卷 (TR)

ZXT13P12DE6TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP LOSAT -12V -4A SOT23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):175mV @ 400mA,4A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1.1W
頻率_轉換:55MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-23-6
包裝:剪切帶 (CT)

ZXT13P12DE6TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP LOSAT -12V -4A SOT23-6
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):175mV @ 400mA,4A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
功率_最大:1.1W
頻率_轉換:55MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-23-6
包裝:Digi-Reel®

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