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ZXTCM322 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXTCM322TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 3MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):320mV @ 200mA,4A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,2V
功率_最大:3W
頻率_轉換:165MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-MLP
供應商設備封裝:3-MLP/DFN(2x2)
包裝:剪切帶 (CT)

ZXTCM322TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 3MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):320mV @ 200mA,4A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,2V
功率_最大:3W
頻率_轉換:165MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-MLP
供應商設備封裝:3-MLP/DFN(2x2)
包裝:帶卷 (TR)

ZXTCM322TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 50V 3MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):320mV @ 200mA,4A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,2V
功率_最大:3W
頻率_轉換:165MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-MLP
供應商設備封裝:3-MLP/DFN(2x2)
包裝:Digi-Reel®

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