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ZXTD2M832TA 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXTD2M832TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):3.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 350mA,3.5A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 2A,2V
功率_最大:1.7W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-MLP
供應商設備封裝:8-MLP(3x2)
包裝:帶卷 (TR)

ZXTD2M832TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):3.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 350mA,3.5A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 2A,2V
功率_最大:1.7W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-MLP
供應商設備封裝:8-MLP(3x2)
包裝:Digi-Reel®

ZXTD2M832TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):3.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 350mA,3.5A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 2A,2V
功率_最大:1.7W
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-MLP
供應商設備封裝:8-MLP(3x2)
包裝:剪切帶 (CT)

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