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ZXTP717MATA 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXTP717MATA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 12V 4A 3-DFN
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 150mA,4A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2.5A,2V
功率_最大:3W
頻率_轉換:110MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-UDFN
供應商設備封裝:DFN2020B-3
包裝:剪切帶 (CT)

ZXTP717MATA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 12V 4A 3-DFN
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 150mA,4A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2.5A,2V
功率_最大:3W
頻率_轉換:110MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-UDFN
供應商設備封裝:DFN2020B-3
包裝:Digi-Reel®

ZXTP717MATA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 12V 4A 3-DFN
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 150mA,4A
電流_集電極截止(最大):25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2.5A,2V
功率_最大:3W
頻率_轉換:110MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-UDFN
供應商設備封裝:DFN2020B-3
包裝:帶卷 (TR)

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